深硅刻蝕(BOSCH工藝,深寬比可達(dá)25:1)
VHF釋放
單晶硅/多晶硅刻蝕
氧化硅/氮化硅刻蝕
光刻膠去除
PI刻蝕
深硅刻蝕機(jī)(STPS):BOSCH工藝,可滿足90°±0.1梳齒工藝要求,也可滿足高深寬比腔體工藝,深度比可達(dá)25:1。
RIE刻蝕機(jī):可進(jìn)行多種介質(zhì)刻蝕,Oxide、SiN、Poly等。
VHF:可對MEMS結(jié)構(gòu)進(jìn)行Release工藝,乙醇與HF氣體作為反應(yīng)氣體。
深硅刻蝕機(jī)刻蝕原理圖
深硅刻蝕機(jī)實(shí)際操作圖
深硅刻蝕機(jī)刻蝕效果
深硅刻蝕(BOSCH工藝,深寬比可達(dá)25:1)
VHF釋放
單晶硅/多晶硅刻蝕
氧化硅/氮化硅刻蝕
光刻膠去除
PI刻蝕
深硅刻蝕機(jī)(STPS):BOSCH工藝,可滿足90°±0.1梳齒工藝要求,也可滿足高深寬比腔體工藝,深度比可達(dá)25:1。
RIE刻蝕機(jī):可進(jìn)行多種介質(zhì)刻蝕,Oxide、SiN、Poly等。
VHF:可對MEMS結(jié)構(gòu)進(jìn)行Release工藝,乙醇與HF氣體作為反應(yīng)氣體。
深硅刻蝕機(jī)刻蝕原理圖
深硅刻蝕機(jī)實(shí)際操作圖
深硅刻蝕機(jī)刻蝕效果